SSD Samsung 850 EVO MZ-N5E250BW, 250GB, M.2, 540, 500MB, s

Tehnologia Caracteristici 3D V-NAND

Intr-o celula de memorie flash NAND de tip convențional, în care informația este stocată plat. Această memorie este pur și simplu de a face, dar are multe dezavantaje: îmbunătățirea este necesară capacitatea de cip pentru a reduce dimensiunea celulelor, ceea ce creste influența lor asupra celuilalt și reduce fiabilitatea de stocare a informatiei. -uri Samsung SSD sunt fabricate folosind arhitectura inovatoare 3D V-NAND, în care celulele sunt de forma cilindrica, eliminând influența lor pe fiecare parte, și creșterea capacității se realizează prin aranjarea lor în mai multe straturi - fără a compromite fiabilitatea de stocare a datelor și viteza. Cipuri de memorie din seria drive-urile 850 EVO au 32 straturi de celule dispuse una deasupra celeilalte. Acest design permite să creați o memorie, în timp ce încăpătoare, rapid și de încredere.

Asigurați-vă că viteza maximă de citire / scriere, pentru a optimiza viteza de execuție a tehnologiei TurboWrite sarcini de rutină de la Samsung. În comparație cu seria 840 EVO EVO 850 unități din seria arata 13% nivel superior de performanță, datorită vitezei mai mari (de aproximativ 2 ori) aleator (random) înregistrarea. Ele oferă, de asemenea, cea mai mare performanță din clasa sa și cu o serie viteze (secvențiale) citirea și scrierea, oferind rezultate in 540 MB / s și 520 de MB / s, respectiv. Beneficia de o performanță optimizată aleator (random), pe toată profunzimea benzi coada (zilnic) la un PC.

Drive-uri cu seria 850 interfață M.2 EVO - masini de curse reale de mare viteză. Cea mai recentă versiune a software-ului Samsung Magician va permite să crească și mai mult viteza de disk, inclusiv modul RAPID. El este capabil de a utiliza până la 25% din RAM disponibilă (DRAM) de pe computer ca un cache inteligent. RAPID Rata de transfer a datelor, precum și modul de citire viteza cu eșantion aleatoriu (random) este crescută la 2 ori, comparativ cu modul normal.