SSD GOODRAM M.2 NVME SSD 512GB PX500 GEN3, INTERFACE: PCIE3.0 X4 / NVME1.4, M2 TYPE 2280 FORM FACTOR, SEQUENTIAL READS/WRITES 3200 MB/S/ 2400 MB/S, RANDOM (4K QD64) READ/WRITE 110K IOPS/ 250K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 300TB, 3D NAND TLC, HEAT-DISSIPATING TH

USB Flash Drive Memorii Memorii pentru laptop Carduri memorie, cardreaders Carduri memorie

при покупке в кредит

~31

Получить кредит
Заполнить on-line заявку

Код товара

# 380033

Акционная цена , лей

754

23 лей Кэшбэк

Доставка
Самовывоз (M.Manole 12/2)	бесплатно
Доставка по Кишиневу, 1-2 дня	50 лей
Доставка по Молдове, 2-3 дня	от 100 лей

Предложение для покупи в кредит!

0% 4 платежа 189 лей
1% 3 платежа 259 лей
1% 4 платежа 196 лей
1% 5 платежа 158 лей
1% 7 платежа 115 лей
1% 13 платежа 66 лей
2% 24 платежа 46 лей
2% 36 платежа 36 лей
2% 48 платежа 31 лей

Фотографии на сайте не всегда соответствуют оригиналу. Характеристики и комплектация могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Для уточнения пожалуйста обратитесь к консультанту Fantastic.md.

Характеристики для SSD GOODRAM M.2 NVME SSD 512GB PX500 GEN3, INTERFACE: PCIE3.0 X4 / NVME1.4, M2 TYPE 2280 FORM FACTOR, SEQUENTIAL READS/WRITES 3200 MB/S/ 2400 MB/S, RANDOM (4K QD64) READ/WRITE 110K IOPS/ 250K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 300TB, 3D NAND TLC, HEAT-DISSIPATING TH

Бренд	( GOODRAM)
Модель	M.2 NVME SSD 512GB PX500 GEN3, INTERFACE: PCIE3.0 X4 / NVME1.4, M2 TYPE 2280 FORM FACTOR, SEQUENTIAL READS/WRITES 3200 MB/S/ 2400 MB/S, RANDOM (4K QD64) READ/WRITE 110K IOPS/ 250K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 300TB, 3D NAND TLC, HEAT-DISSIPATING TH
Гарантия для потребителя, мес.	24

Форм-фактор накопителя	M.2 NVMe
Характеристики накопителя
Память накопителя	512 ГБ
Тип чипов	3D NAND TLC
Скорость чтения	3200 МБ/с
Скорость записи	2400 МБ/с
> Сообщить о проблеме в описании товара.