SSD Samsung 850 EVO (MZ-75E2T0B), 2.0TB, 2.5, 540, 520MBs

3D V-NAND
Arhitectura unică și inovatoare Samsung 3D V-NAND pentru memorie flash reprezintă o realizare revoluționară în privința depășirii limitelor de densitate, performanță și durabilitate ale arhitecturii convenționale planare NAND de azi. 3D V-NAND se fabrică prin suprapunerea a 32 de straturi de celule pe verticală în loc de a reduce dimensiunile celulelor și a încerca fixarea acestora într-un spațiu orizontal, obținându-se astfel o densitate mai mare și o performanță superioară într-un spațiu mai mic.

Tehnologia TurboWrite optimizează activitățile computerizate de zi cu zi oferind viteze de citire și scriere inegalabile
Optimizați experiența dvs. cotidiană de lucru cu calculatorul obținând performanțe de citire / scriere maxime cu ajutorul tehnologiei Samsung TurboWrite. Pe lângă faptul că obțineți o experiență de utilizare cu peste 10% mai bună decât cu 840 EVO, obțineți și o viteză de scriere aleatorie de 1,9 ori mai mare pentru modelele de 120 / 250 GB. Modelul 850 EVO oferă cea mai bună performanță din categoria sa la viteza de citire succesivă (540 MB/s) și scriere succesivă (520 MB/s). În plus, beneficiați și de performanță optimizată la citirea / scrierea aleatorie în toate situațiile de utilizare QD pentru sistemele PC client.

Treceți pe banda de circulație rapidă cu modul RAID îmbunătățit
Aplicația Samsung Magician oferă modul de lucru „Rapid” care asigură viteze de procesare a datelor de 2 ori mai mari la nivelul sistemului prin utilizarea memoriei PC (DRAM) disponibile ca spațiu cache. Cea mai nouă versiune a aplicației Magician a sporit capacitatea maximă de memorie utilizabilă de la 1 GB, în versiunea anterioară 840 EVO, până la 4 GB la noul 850 EVO, în cazul în care există un total de 16 GB memorie DRAM instalată. De asemenea, beneficiați de o performanță de 2 ori mai bună la orice nivel de profunzime a canalului de așteptare.

Durabilitate și fiabilitate garantate, susținute de tehnologia 3D V-NAND
Modelul 850 EVO oferă durabilitate și fiabilitate garantate, dublând volumul TBW în comparație cu generația anterioară 840 EVO, fiind susținut de o garanție de 5 ani. Prin minimizarea degradării performanței, 850 EVO permite îmbunătățiri susținute ale performanței cu până la 30% mai mult față de modelul 840 EVO, dovedindu-se a fi unul dintre cele mai fiabile dispozitive de stocare

Lucrați mai mult timp grație eficienței energetice îmbunătățite susținute de 3D V-NAND
Modelul 850 EVO asigură o durată a bateriei de notebook semnificativ mai mare cu ajutorul unui controler optimizat pentru 3D V-NAND care permite un consum extrem de economicos de numai 2 mW în modul stand-by. 850 EVO este mai economicos cu 24% în privința consumului de energie decât 840 EVO în timpul operațiilor de scriere datorită faptului că 3D V-NAND consumă doar jumătate din energia unei unități planare 2D NAND.